STW10NK80Z výkonový N-kanálový MOSFET 800V 9A TO-247
Katalógové číslo:
2000007200
Výkonový N-kanálový MOSFET STW10NK80Z 800V 9A s nízkym odporom 0,9Ω v púzdre TO-247 pre spínané zdroje a výkonové aplikácie. Celý popis
5,54 €
bez DPH: 4,50 €
Na sklade 2 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
5,54 €
STW10NK80Z výkonový N-kanálový MOSFET 800V 9A TO-247
STW10NK80Z je vysokonapäťový výkonový tranzistor typu N-MOSFET od výrobcu STMicroelectronics, vyrobený technológiou SuperMESH™. Tento MOSFET je určený pre spínané zdroje, výkonové meniče, napájacie moduly, zváraciu techniku, LED zdroje a ďalšie aplikácie vyžadujúce vysoké napätie.
Maximálne napätie medzi drainom a sourcem je 800 V, trvalý prúd drainu dosahuje až 9 A a maximálny odpor sepnutého kanála (RDS(on)) je 0,9 Ω pri buzení hradla 10 V. Púzdro TO-247 umožňuje jednoduchú montáž na dosku plošných spojov aj upevnenie na chladič. Integrovaná Zenerova ochrana hradla zvyšuje odolnosť proti napäťovým špičkám.
Technické parametre:
- Označenie výrobcu: STW10NK80Z
- Výrobca: STMicroelectronics
- Typ: výkonový unipolárny tranzistor MOSFET
- Kanál: N-kanál
- Technológia: SuperMESH™
- Maximálne napätie drain–source: 800 V
- Trvalý prúd drainu: 9 A
- Odpor sepnutého kanála RDS(on): max. 0,9 Ω, typicky 0,78 Ω
- Maximálny stratový výkon: 160 W
- Maximálne napätie gate–source: ±30 V
- Púzdro: TO-247, 3 vývody
- Montáž: THT / priechodzá montáž
- Vyhotovenie: Zenerom chránený MOSFET
- Využitie: spínané napájacie zdroje, výkonové spínanie a vysokonapäťové meniče
Zatiaľ nebola napísaná žiadna recenzia. Buďte prvý...
