N-MOSFET tranzistor IRFB260N / IRFB260NPBF
Katalógové číslo:
2000268500
N-MOSFET tranzistor s napätím 200V, prúdom 56A a výkonom 380W v puzdre TO220AB. Celý popis
3,25 €
bez DPH: 2,64 €
Na sklade 13 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET tranzistor IRFB260N / IRFB260NPBF
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technológia: HEXFET®
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 200V
Prúd drainu: 56A
Ztrátový výkon: 380W
Kryt: TO220AB
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 40mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 150nC
Druh kanálu: obohatený
Technické parametre:
- Napätie drain-source: 200V
- Prúd drainu: 56A
- Ztrátový výkon: 380W
- Kryt: TO220AB
- Napätie gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutom stave: 40mΩ
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 150nC
- Druh kanálu: obohatený
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technológia: HEXFET®
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 200V
Prúd drainu: 56A
Ztrátový výkon: 380W
Kryt: TO220AB
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 40mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 150nC
Druh kanálu: obohatený
Technické parametre:
- Napätie drain-source: 200V
- Prúd drainu: 56A
- Ztrátový výkon: 380W
- Kryt: TO220AB
- Napätie gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutom stave: 40mΩ
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 150nC
- Druh kanálu: obohatený