N-MOSFET Tranzistor IRF2807PBF 75V 82A 200W TO220AB
Katalógové číslo:
2000268200
Značka:
Infineon
N-MOSFET tranzistor IRF2807PBF s parametrami 75V, 82A, 200W v puzdre TO220AB. Celý popis
2,40 €
bez DPH: 1,95 €
Na sklade 17 ks
Externý sklad: za 8 dní
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET Tranzistor IRF2807PBF
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora: N-MOSFET
Technológia: HEXFET®
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 75V
Prúd drainu: 82A
Ztratový výkon: 200W
Puzdro: TO220AB
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 13mΩ
Montáž: THT
Nabíjanie hradla: 106,7nC
Technické parametre:
- N-MOSFET
- Napätie drain-source: 75V
- Prúd drainu: 82A
- Ztratový výkon: 200W
- Puzdro: TO220AB
- Napätie gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutom stave: 13mΩ
- Montáž: THT
- Nabíjanie hradla: 106,7nC
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora: N-MOSFET
Technológia: HEXFET®
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 75V
Prúd drainu: 82A
Ztratový výkon: 200W
Puzdro: TO220AB
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 13mΩ
Montáž: THT
Nabíjanie hradla: 106,7nC
Technické parametre:
- N-MOSFET
- Napätie drain-source: 75V
- Prúd drainu: 82A
- Ztratový výkon: 200W
- Puzdro: TO220AB
- Napätie gate-source: ±20V
- Odpor v sepnutom stave: 13mΩ
- Montáž: THT
- Nabíjanie hradla: 106,7nC