N-MOSFET tranzistor IPA60R190P6XKSA1, 600V, 20,2A, 34W, TO220FP
Katalógové číslo:
2000199800
N-MOSFET tranzistor IPA60R190P6XKSA1 s parametrami 600V, 20,2A a 34W v púzdre TO220FP. Celý popis
3,17 €
bez DPH: 2,58 €
Na sklade 4 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET tranzistor IPA60R190P6XKSA1
Tranzistor typu N-MOSFET s pokročilou technológiou CoolMOS™ P6. Tento tranzistor je určený pre široké spektrum aplikácií, kde je požadovaná vysoká spoľahlivosť a efektivita.
Technické parametre:
Typ tranzistora: N-MOSFET
Technológia: CoolMOS™ P6
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 600V
Proud drainu: 20,2A
Ztrátový výkon: 34W
Pouzdro: TO220FP
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v zapnutom stave: 0,19Ω
Montáž: THT
Druh kanálu: obohatený
Tranzistor typu N-MOSFET s pokročilou technológiou CoolMOS™ P6. Tento tranzistor je určený pre široké spektrum aplikácií, kde je požadovaná vysoká spoľahlivosť a efektivita.
Technické parametre:
Typ tranzistora: N-MOSFET
Technológia: CoolMOS™ P6
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 600V
Proud drainu: 20,2A
Ztrátový výkon: 34W
Pouzdro: TO220FP
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v zapnutom stave: 0,19Ω
Montáž: THT
Druh kanálu: obohatený