N-MOSFET IRF3710PBF 100V 57A 200W TO220AB
Katalógové číslo:
2000233300
N-MOSFET IRF3710PBF s napätím 100V, prúdom 57A a výkonom 200W v puzdre TO220AB. Celý popis
1,75 €
bez DPH: 1,42 €
Na sklade 25 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET IRF3710PBF 100V 57A 200W
Tranzistor IRF3710PBF je N-MOSFET typu HEXFET od výrobcu Infineon. Je určený pre široké spektrum aplikácií, kde je požadovaná vysoká efektivita a spoľahlivosť.
Technické parametre:
Tranzistor IRF3710PBF je N-MOSFET typu HEXFET od výrobcu Infineon. Je určený pre široké spektrum aplikácií, kde je požadovaná vysoká efektivita a spoľahlivosť.
Technické parametre:
- Napätie drain-source: 100V
- Prúd drainu: 57A
- Výkon: 200W
- Puzdro: TO220AB
- Napätie gate-source: 20V
- Odpor v sepnutém stave: 23mΩ
- Tepelný odpor prechod-puzdro: 0.75K/W
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 86.7nC