N-MOSFET IPW60R125P6 600V 30A 219W
Katalógové číslo:
2000203000
Značka:
Infineon
N-MOSFET IPW60R125P6 s parametrami 600V, 30A a výkonom 219W, ideálny pre výkonné aplikácie. Celý popis
9,27 €
bez DPH: 7,54 €
Na sklade 3 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET IPW60R125P6 600V 30A 219W
Priama náhrada typu FSW25N50A s dostatočnou rezervou, určená pre použitie vo výkonných invertoroch a impulzných zdrojoch.
Technické parametre:
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora: N-MOSFET
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 600V
Proud drainu: 30A
Výkon: 219W
Pouzdro: PG-TO247
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 125mΩ
Montáž: THT
Technológia: CoolMOS™ P6
Priama náhrada typu FSW25N50A s dostatočnou rezervou, určená pre použitie vo výkonných invertoroch a impulzných zdrojoch.
Technické parametre:
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora: N-MOSFET
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 600V
Proud drainu: 30A
Výkon: 219W
Pouzdro: PG-TO247
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 125mΩ
Montáž: THT
Technológia: CoolMOS™ P6