N-MOSFET 10N60M2, STF10N60M2 - 600V, 7.5A, 25W, TO-220FP
Katalógové číslo:
2000149500
N-MOSFET 600V, 7.5A, 25W, 0,6Ω v puzdre TO-220FP, ideálny pre výkonové aplikácie. Celý popis
13,32 €
bez DPH: 10,83 €
Na sklade 7 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-MOSFET 10N60M2, STF10N60M2
Parametre:
Výrobca: STMicroelectronics
Typ tranzistora: N-MOSFET
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 600V
Prúd drainu: 7,5A
Impulsný prúd kolektoru: 30A
Ztratový výkon: 25W
Kryt: TO220FP
Napätie gate-source: ±25V
Odpor v sepnutom stave: 0,6Ω
Montáž: THT
Náboj hradla: 13,5nC
Druh kanálu: obohatený
Technické parametre:
- Napätie drain-source: 600V - Prúd drainu: 7,5A - Impulsný prúd kolektoru: 30A - Ztratový výkon: 25W - Odpor v sepnutom stave: 0,6Ω - Napätie gate-source: ±25V - Kryt: TO220FP - Montáž: THT - Náboj hradla: 13,5nC - Druh kanálu: obohatený
Parametre:
Výrobca: STMicroelectronics
Typ tranzistora: N-MOSFET
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 600V
Prúd drainu: 7,5A
Impulsný prúd kolektoru: 30A
Ztratový výkon: 25W
Kryt: TO220FP
Napätie gate-source: ±25V
Odpor v sepnutom stave: 0,6Ω
Montáž: THT
Náboj hradla: 13,5nC
Druh kanálu: obohatený
Technické parametre:
- Napätie drain-source: 600V - Prúd drainu: 7,5A - Impulsný prúd kolektoru: 30A - Ztratový výkon: 25W - Odpor v sepnutom stave: 0,6Ω - Napätie gate-source: ±25V - Kryt: TO220FP - Montáž: THT - Náboj hradla: 13,5nC - Druh kanálu: obohatený