N-FET 2SK2611 900V 9A 150W
Katalógové číslo:
2000244900
Značka:
Toshiba
N-FET tranzistor 900V, 9A, 150W, model 2SK2611. Celý popis
10,61 €
bez DPH: 8,63 €
Na sklade 3 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
N-FET 2SK2611 900V 9A 150W
Tento N-FET tranzistor je navrhnutý pre aplikácie vyžadujúce vysoké napätie a výkon. S maximálnym napätím 900V a prúdom 9A je ideálny pre rôzne elektronické obvody.
Technické parametre:
Maximálne napätie: 900V
Maximálny prúd: 9A
Maximálny výkon: 150W
Model: 1J1
Kompatibilita:
2SK2610
Tento N-FET tranzistor je navrhnutý pre aplikácie vyžadujúce vysoké napätie a výkon. S maximálnym napätím 900V a prúdom 9A je ideálny pre rôzne elektronické obvody.
Technické parametre:
Maximálne napätie: 900V
Maximálny prúd: 9A
Maximálny výkon: 150W
Model: 1J1
Kompatibilita:
2SK2610