IRF530 N-MOSFET Tranzistor 100V 10A TO220AB
Katalógové číslo:
2000163400
Značka:
Vishay
N-MOSFET tranzistor IRF530 s parametrami 100V, 10A a 88W v puzdre TO220AB. Celý popis
1,30 €
bez DPH: 1,06 €
Na sklade 19 ks
Externý sklad: za 19 dní
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
IRF530 N-MOSFET Tranzistor
Tranzistor IRF530 je unipolárny N-MOSFET s vysokou spoľahlivosťou a výkonom. Tento tranzistor je ideálny pre aplikácie, ktoré vyžadujú vysoké napätie a prúd.
Technické parametre:
• Výrobca: VISHAY
• Typ tranzistora: N-MOSFET
• Polarizácia: unipolárny
• Napätie drain-source: 100V
• Prúd drainu: 10A
• Ztrátový výkon: 88W
• Kryt: TO220AB
• Napätie gate-source: ±20V
• Odpor v sepnutom stave: 0,16Ω
• Montáž: THT
• Náboj hradla: 26nC
• Druh kanálu: obohatený
Tranzistor IRF530 je unipolárny N-MOSFET s vysokou spoľahlivosťou a výkonom. Tento tranzistor je ideálny pre aplikácie, ktoré vyžadujú vysoké napätie a prúd.
Technické parametre:
• Výrobca: VISHAY
• Typ tranzistora: N-MOSFET
• Polarizácia: unipolárny
• Napätie drain-source: 100V
• Prúd drainu: 10A
• Ztrátový výkon: 88W
• Kryt: TO220AB
• Napätie gate-source: ±20V
• Odpor v sepnutom stave: 0,16Ω
• Montáž: THT
• Náboj hradla: 26nC
• Druh kanálu: obohatený