Technické parametre:
Výrobca: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora: N-MOSFET
Technológia: HEXFET®
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 75V
Prúd drainu: 130A
Ztrátový výkon: 330W
Puzdro: TO220AB
Napätie gate-source: ±20V
Odpor v sepnutom stave: 7,8mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 160Nc