IGBT Tranzistor AOK60B65H2AL / K60B65H2A 650V 60A
IGBT 650V 60A 166W
Popis a parametre:
Výrobca: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Typ tranzistora: IGBT
Napätie kolektor-emitor: 650V
Prúd kolektoru: 60A
Strátový výkon: 166W
Kryt: TO247
Napätie hradlo - emitor: ±30V
Impulzný prúd kolektoru: 180A
Montáž: THT
Náboj hradla: 84nC
Druh balenia: tuba
Doba príchodu: 113ns
Doba odpadu: 270ns
Saturačné napätie kol.-emit.: 1,95V
Vypínacia energia: 1,17mJ
Zapínacia energia: 2,36mJ
Technické parametre:
- Napätie kolektor-emitor: 650V
- Prúd kolektoru: 60A
- Strátový výkon: 166W
- Kryt: TO247
- Napätie hradlo - emitor: ±30V
- Impulzný prúd kolektoru: 180A
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 84nC
- Doba príchodu: 113ns
- Doba odpadu: 270ns
- Saturačné napätie kol.-emit.: 1,95V
- Vypínacia energia: 1,17mJ
- Zapínacia energia: 2,36mJ