GT60N321 IGBT Tranzistor 1000V 60A 170W
Katalógové číslo:
2000306300
Značka:
Toshiba
GT60N321 IGBT tranzistor s napätím 1000V, prúdom 60A a výkonom 170W pre efektívne riadenie výkonu. Celý popis
Nedostupné
GT60N321 IGBT Tranzistor
GT60N321 je IGBT tranzistor s maximálnym napätím 1000V a maximálnym prúdom 60A. Tento výkonový polovodič je navrhnutý pre efektívne riadenie výkonu v rôznych aplikáciách. S výkonom 170W je ideálny pre použitie v priemyselných a energetických systémoch.
Technické parametre:
Maximálne napätie: 1000V
Maximálny prúd: 60A
Maximálny výkon: 170W
GT60N321 je IGBT tranzistor s maximálnym napätím 1000V a maximálnym prúdom 60A. Tento výkonový polovodič je navrhnutý pre efektívne riadenie výkonu v rôznych aplikáciách. S výkonom 170W je ideálny pre použitie v priemyselných a energetických systémoch.
Technické parametre:
Maximálne napätie: 1000V
Maximálny prúd: 60A
Maximálny výkon: 170W