FGH40N60 IGBT Tranzistor
Typ tranzistoru: IGBT
Výrobca: ONSEMI
Napätie kolektor-emitor: 600V
Proud kolektoru: 40A
Ztrátový výkon: 174W
Pouzdro: TO247-3
Napätie hradlo-emitor: ±20V
Impulsný prúd kolektoru: 120ANáboj hradla: 180nC
Vlastností polovodičových súčiastok: integrovaná antiparalelná dióda
Technické parametre:
- Napätie kolektor-emitor: 600V
- Prúd kolektoru: 40A
- Ztrátový výkon: 174W
- Pouzdro: TO247-3
- Napätie hradlo-emitor: ±20V
- Impulsný prúd kolektoru: 120A
- Montáž: THT
- Náboj hradla: 180nC
- Vlastnosti: integrovaná antiparalelná dióda