FDP18N50 N-MOSFET 500V 10,8A 235W TO220
Katalógové číslo:
2000187900
N-MOSFET s napätím 500V, prúdom 10,8A a výkonom 235W v puzdre TO220. Celý popis
4,23 €
bez DPH: 3,44 €
Na sklade 5 ks
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
FDP18N50 N-MOSFET 500V 10,8A 235W TO220
Tranzistor FDP18N50 je N-MOSFET s vysokým napätím a výkonom, ideálny pre rôzne aplikácie v oblasti polovodičových súčiastok.
Technické parametre:
Výrobca: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 500V
Proud drainu: 10.8A
Výkon: 235W
Puzdro: TO220
Napätie gate-source: ±30V
Odpor v sepnutém stave: 265mΩ
Montáž: THT
Naboj hradla: 60nC
Technológia: UniFET™
Tranzistor FDP18N50 je N-MOSFET s vysokým napätím a výkonom, ideálny pre rôzne aplikácie v oblasti polovodičových súčiastok.
Technické parametre:
Výrobca: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizácia: unipolárna
Napätie drain-source: 500V
Proud drainu: 10.8A
Výkon: 235W
Puzdro: TO220
Napätie gate-source: ±30V
Odpor v sepnutém stave: 265mΩ
Montáž: THT
Naboj hradla: 60nC
Technológia: UniFET™