8R1K0CE N-Channel MOSFET 800V 5.7A
Katalógové číslo:
2000120500
Značka:
Infineon
N-Channel MOSFET 800V 5.7A s nízkym odporom a vysokou účinnosťou pre aplikácie LED. Celý popis
4,27 €
bez DPH: 3,47 €
Na sklade 2 ks
Externý sklad: za 8 dní
Možnosti doručenia
Skladem na prodejně
AME Hradec Králové
8R1K0CE N-Channel MOSFET 800V 5.7A
8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon je vysoko výkonný N-channel MOSFET s 800V prúžnym napätím a maximálnym prúdom 5.7A. Tento tranzistor je súčasťou série CoolMOS™ CE, ktorá sa zameriava na aplikácie spotrebnej elektroniky, vrátane LED osvetlenia. Infineon spája dlhoročné skúsenosti s inováciami, čo zaisťuje vynikajúcu kvalitu a výkon.
Souhrn funkcí:
- Nízky špecifický odpor v zapnutom stave (R DS(on))
- Veľmi nízka akumulácia energie vo výstupnej kapacite (Eoss) @ 400V
- Nízky náboj brány (Q g)
- Osvetlená kvalita CoolMOS™
- Technológia CoolMOS™ vyrábaná od roku 1998
Výhody:
- Vysoká účinnosť a hustota výkonu
- Vynikajúca cena/výkon
- Vysoká spoľahlivosť
- Jednoduchosť použitia
Technické parametre:
- Maximálne prúžne napätie: 800V
- Maximálny prúd: 5.7A
- Pouzdro: TO-220FP
8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon je vysoko výkonný N-channel MOSFET s 800V prúžnym napätím a maximálnym prúdom 5.7A. Tento tranzistor je súčasťou série CoolMOS™ CE, ktorá sa zameriava na aplikácie spotrebnej elektroniky, vrátane LED osvetlenia. Infineon spája dlhoročné skúsenosti s inováciami, čo zaisťuje vynikajúcu kvalitu a výkon.
Souhrn funkcí:
- Nízky špecifický odpor v zapnutom stave (R DS(on))
- Veľmi nízka akumulácia energie vo výstupnej kapacite (Eoss) @ 400V
- Nízky náboj brány (Q g)
- Osvetlená kvalita CoolMOS™
- Technológia CoolMOS™ vyrábaná od roku 1998
Výhody:
- Vysoká účinnosť a hustota výkonu
- Vynikajúca cena/výkon
- Vysoká spoľahlivosť
- Jednoduchosť použitia
Technické parametre:
- Maximálne prúžne napätie: 800V
- Maximálny prúd: 5.7A
- Pouzdro: TO-220FP